DIODO - Corriente de saturación inversa y distribución de las corrientes

Corriente de saturación inversa 

La corriente inversa de saturación IS, debida a los portadores minoritarios que se generan térmicamente en las regiones p y n, tiene la forma:

siendo K1 una constante. Se puede apreciar que la corriente inversa de saturación depende fuertemente de la temperatura, puesto que de ella también depende la generación de pares electrón hueco. 

Distribución de las corrientes

En la Fig. 7 se representan las densidades de corriente Jp y Jn, de huecos y de electrones mayoritarios, para el caso de un diodo polarizado en directa. Se supone que no existe recombinación en la zona de carga espacial, por lo tanto en esta región las corrientes permanecen invariables. Estos portadores llegan a las zonas en que son minoritarios se mueven por difusión y se recombinan rápidamente, con longitudes de difusión Lp y Ln.

Ahora bien como se trata de un circuito serie la densidad de corriente debe ser constante en todo el largo del cristal, por lo tanto la corriente que se va perdiendo hacia la derecha en Jp debe ser provista por los electrones, y de forma tal que la suma sea constante. El mismo razonamiento se aplica en la región p. Ver Fig. 8.

 La corriente debida a los portadores minoritarios es una corriente de difusión en tanto que la de los mayoritarios es una corriente de arrastre.