El dispositivo más simple empleado en electrónica es el diodo. En efecto es una simple juntura pn, es decir que se trata de un componente de dos terminales siendo el denominado ánodo (A) el que corresponde a la región p y cátodo (K) a la región n. En la Fig. 1 se ilustra el símbolo que se emplea en los diagramas electrónicos para representar un diodo. Existen varios tipos de diodos, de los cuales se explicarán sólo cuatro. En primer lugar se verá el diodo común, que se emplea en circuitos rectificadores, pasando luego al diodo Zener, que se usa como referencia de tensión y finalmente se verá el diodo emisor de luz o LED y el fotodiodo.
La juntura pn fuera de equilibrio
Finalmente si el diodo se polariza en inversa, el potencial más positivo de la fuente a cátodo y el más negativo al ánodo, la caída de tensión en la juntura se ve reforzada, pasando a valer 0 + V. Esto significa que la barrera de potencial que tienen que vencer los portadores mayoritarios es muy grande, tal es así que J2 0 y J3 0. Sin embargo los portadores minoritarios seguirán circulando puesto que siempre se ven arrastrados por el campo eléctrico, existirá entonces una corriente debida a J1 y a J4, sin embargo su valor es ínfimo.
Distribución de las corrientes con polarización directa
Del análisis anterior surge que la corriente eléctrica es debida a los dos tipos de portadores, huecos y electrones, que cruzan la juntura en sentidos opuestos. La corriente total, por tratarse de un circuito serie, es la misma en cualquier plano transversal del diodo, en particular en la juntura metalúrgica tendrá el valor:
I = A[( J2 + J3 ) – ( J1 + J4 )] = A[( J2 – J1 ) + ( J3 - J4 )]
puesto que se supone que en la zona de carga espacial no se produce recombinación alguna. Donde J2 – J1 es la densidad de corriente de electrones y J3 - J4 la de huecos.
Si se analiza, por ejemplo, ( ver Fig. 4 ) el caso de los huecos que viene de la región p hacia la n, se ve que atraviesan la juntura puesto que tienen la energía suficiente como para vencer el campo eléctrico adverso. Ni bien llegan a la región n se mueven por difusión, más aún, como allí son portadores minoritarios y rápidamente se recombinan.
Se debe recordar, por ejemplo en la zona p, que un hueco que se desplaza de izquierda a derecha es en realidad un electrón que se mueve en la banda de valencia, en decir de átomo en átomo, de derecha a izquierda. Este electrón llega al contacto aluminio semiconductor y se mueve por el cable, ahora ya fuera del diodo, hacia el terminal positivo de la fuente. Con los electrones, cambiando lo que hay que cambiar, el razonamiento es idéntico. Se puede demostrar que la ecuación que rige el comportamiento del diodo es
donde k es la constante de Boltzman, q la carga del electrón, T la temperatura en grados Kelvin, V la tensión externa aplicada, IS la corriente inversa de saturación e I la corriente que circula por el diodo.
En la Ec. 1 si V se hace negativa, polarización inversa, y su valor es mucho mayor que kT/q se reduce a: I = IS
es decir la corriente circula de cátodo a ánodo y es por ello que recibe el nombre de corriente inversa. A temperatura la relación kT/q tiene un valor de 26mV
Por otro lado si el diodo se polariza en directa, V positiva, el -1 de la Ec. 1 se puede despreciar y esta ecuación queda reducido a una simple exponencial. En la Fig. 5 se ilustra el comportamiento del diodo, es decir, corriente que lo circula en función de la tensión aplicada. Es importante notar que las escalas son diferentes para las ordenadas positivas y las negativas, en un caso se trata de miliamperes y en el otro de microamperes.
Una característica interesante es la aparición de una tensión umbral V por debajo de la cual la corriente es muy pequeña, por ejemplo 1% del valor permitido para el funcionamiento del diodo, para valores superiores a V la corriente crece rápidamente. En la Fig. 6 se muestra la diferencia de las características entre un diodo de germanio y otro de silicio. Puede apreciarse que V es de 0,2V para el Ge y de 0,6V para el Si. Además se puede demostrar que dependen de la temperatura, en efecto la variación dV/dT es de -2,1mV/ºC para el Ge y –2,3mV/ ºC para el Si
Volviendo a la Fig. 5 se puede ver que para polarización en inversa del diodo la corriente permanece constante, e igual a IS, hasta que llega a un valor denominado VBR o tensión de ruptura, en la cual crece rápidamente. En este punto se produce el efecto Zener o avalancha, del cual se hablará más adelante.
Finalmente se puede decir que un diodo ideal sería aquel que en directa conduce corriente sin caída de tensión sobre él y que en inversa la bloquea totalmente es decir se comportaría como un interruptor ideal.
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